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        中國電能“芯”打破國際壟斷

        2014-06-22 16:53:46  |  來源:人民日報  |  作者:  |  閱讀:次  字號: T   T
         

            本報株洲6月21日電 (記者侯琳良)6月20日,國內(nèi)首個自主研發(fā)生產(chǎn)的“001號”8英寸IGBT專業(yè)芯片,在中國南車株洲所下線,并移交中國科技館收藏。據(jù)透露,這條國內(nèi)首條、世界上第二條8英寸IGBT專業(yè)芯片線將于今年下半年投產(chǎn)。它的投產(chǎn),標志著我國開始打破英飛凌、ABB、三菱等國外公司在高端IGBT芯片技術上的壟斷。


            IGBT是一種新型功率半導體器件,中文全名“絕緣柵雙極型晶體管”。它是電力電子器件中技術最為先進、應用最為廣泛的第三代器件。與微電子技術中芯片技術(CPU)一樣,IGBT芯片技術是電力電子行業(yè)中的“心臟”和“大腦”,能控制并提供大功率的電力設備電能變換,有效提升設備的能源利用效率、自動化和智能化水平。
            據(jù)介紹,由IGBT芯片組成的IGBT器件、模塊、組件以及系統(tǒng)裝置廣泛應用于空調(diào)、洗衣機等家用電器,以及軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、船舶驅(qū)動、新能源、電動汽車等高端產(chǎn)業(yè),特別是在涉及國家經(jīng)濟安全、國防安全等戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)領域,高功率等級的IGBT尤為關鍵。
            據(jù)悉,這條8英寸IGBT專業(yè)芯片線首期將實現(xiàn)年產(chǎn)12萬片8英寸IGBT芯片,配套生產(chǎn)100萬只IGBT模塊,年產(chǎn)值有望實現(xiàn)20億元,未來將有望實現(xiàn)對進口IGBT的全面替代。
         
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